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厂商型号

SMMBT2222ALT3G 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT SS GP XSTR SPCL TR

内部编号

277-SMMBT2222ALT3G

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:22540
1+¥1.7778
10+¥1.1829
100+¥0.4923
1000+¥0.335
2500+¥0.253
10000+¥0.2188
20000+¥0.2051
50000+¥0.1915
100000+¥0.1641
最小起订量:1
美国加州
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#2

数量:7500
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

SMMBT2222ALT3G产品详细规格

规格书 SMMBT2222ALT3G datasheet 规格书
MMBT/SMMBT2222(A)L Datasheet
SMMBT2222ALT3G datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 10,000
集电极最大直流电流 0.6
最小直流电流增益 35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@1...
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-23
最低工作温度 -55
最大功率耗散 300
最大基地发射极电压 6
Maximum Transition Frequency 300(Min)
封装 Tape and Reel
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 75
供应商封装形式 SOT-23
最大集电极发射极电压 40
类型 NPN
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
系列 *
标准包装 10,000
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
发射极 - 基极电压VEBO 6 V
集电极 - 发射极饱和电压 1 V
晶体管极性 NPN
最大功率耗散 300 mW
直流集电极/增益hfe最小值 40
集电极最大直流电流 1100 mA
增益带宽产品fT 300 MHz
集电极 - 发射极最大电压VCEO 40 V
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO 75 VDC
最低工作温度 - 55 C
封装/外壳 SOT-23
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
连续集电极电流 600 mA
工厂包装数量 10000
Pd - Power Dissipation 300 mW
品牌 ON Semiconductor
RoHS RoHS Compliant

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